PL光致发光光谱探测在半导体硅材料中的应用收藏

光致发光光谱中的一种    光致发光光谱(Photoluminescence Spectroscopy,简称PL谱)是一种探测材料电子结构的方法，它与材料无接触且不损坏材料光直接照射到材料上，被材料吸收并将多余能量传递给材料，这个过程叫做光激发。

这些多余的能量可以通过发光的形式消耗掉由于光激发而发光的过程叫做光致发光光致发光的光谱结构和光强是测量许多重要材料的直接手段光激发导致材料内部的电子跃迁到允许的激发态当这些电子回到他们的热平衡态时，多余的能量可以通过发光过程和非辐射过程释放。

光致发光辐射光的能量是与两个电子态间不同的能级差相联系的，这其中涉及到了激发态与平衡态之间的跃迁激发光的数量是与辐射过程的贡献相联系的    光致发光，或称光激发荧光 (Photoluminescence, PL) 对于检测发光半导体材料的光电特性是一个方便快速、非接触式与无破坏性的技术。

即由分析光致发光的光谱影像与数据，可以得知掺杂之杂质的种类与含量、能隙大小、少子寿命分布，鉴别材料的损伤、裂痕，以及缺陷分布等等，是做为材料的结构成分、性能与质量鉴别的最佳工具

硅片隐裂检测图像    PL经常应用于半导体硅材料、太阳能电池检测、LED外延片等等材料的研究与检测等领域    配备短波红外相机，波长侦测范围在900 nm ~ 1700 nm，涵盖了目前所有太阳能电池材料的发光波段。

   可侦测波长范围900 nm ~ 1700 nm包含硅能带间的发光(~ 1200 nm, band-to-band luminescence)、硅缺陷发光(~ 1500 nm, dislocation luminescence)。

   主要可从事三种模式的影像检测；分别是穿透式光致发光影像检测(T-PLI)、反射式光致发光影像检测(R-PLI)、以及红外穿透影像检测    可更换不同视野的镜头来改变所拍摄到影像的空间分辨率    配备自动XY移动平台扫描成像，达到高空间分辨率与较宽广的拍摄视野。

版权声明：本文内容由网络用户投稿，版权归原作者所有，本站不拥有其著作权，亦不承担相应法律责任。如果您发现本站中有涉嫌抄袭或描述失实的内容，请联系我们jiasou666@gmail.com 处理，核实后本网站将在24小时内删除侵权内容。