盘点半导体制造工艺中的主要设备及材料

半导体设备和材料处于产业链的上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路、LED等多个领域，其中以集成电路的占比和技术难度最高。

01IC制造工艺流程及其所需设备和材料

半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。

由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。在这里，我们以最为复杂的晶圆制造（前道）和传统封装（后道）工艺为例，说明制造过程所需要的设备和材料。

▲集成电路产业链

IC晶圆生产线的主要生产区域及所需设备和材料

晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。

这7个主要的生产区域和相关步骤以及测量等都是在晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。

▲先进封装技术及中道（Middle-End）技术

▲IC晶圆制造流程图

▲IC晶圆生产线的主要生产区域及所需设备和材料

传统封装工艺流程

传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和材料的要求也低于晶圆制造。

▲传统封装的主要步骤及所需设备和材料

02主要半导体设备及所用材料

1) 氧化炉

设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。

所用材料：硅片、氧气、惰性气体等。

国外主要厂商：英国Thermco公司、德国Centrothermthermal Solutions GmbH Co.KG公司等。

国内主要厂商：七星电子、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所等。

2) PVD（物理气相沉积）

设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。

所用材料：靶材、惰性气体等。

国外主要厂商：美国应用材料公司、美国PVD公司、美国Vaportech公司、英国Teer公司、瑞士Platit公司、德国Cemecon公司等。

国内主要厂商：北方微电子、北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所、科睿设备有限公司等。

3) PECVD

设备功能：在沉积室利用辉光放电，使反应气体电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。

所用材料：特种气体（前驱物、惰性气体等）。

国外主要厂商：美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（Lam Research）公司、荷兰ASM国际公司等。

国内主要厂商：北方微电子、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂等。

4) MOCVD

设备功能：以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

所用材料：特种气体（MO源、惰性气体等）。

国外主要厂商：德国Aixtron爱思强公司、美国Veeco公司等。

国内主要厂商：中微半导体、中晟光电、理想能源设备等。

5) 光刻机

设备功能：将掩膜版上的图形转移到涂有光刻胶的衬底（硅片）上，致使光刻发生反应，为下一步加工（刻蚀或离子注入）做准备。

所需材料：光刻胶等

国外主要公司：荷兰阿斯麦（ASML）公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国SUSS公司、美国Ultratech公司、奥地利EVG公司等。

国内主要公司：上海微电装备（SMEE）、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、成都光机所等。

6) 涂胶显影机