意法半导体数字隔离器采用新型厚氧化物电流隔离技术，可提高性能和可靠性收藏

2021年4月22日——意法半导体开始量产STISO621双通道数字隔离器，该新系列高性能隔离器适合工业控制应用，可以替代普通的光耦器件。

STISO621的两个隔离区域之间数据传输速率达到100Mbit/s，脉冲失真低于3ns，采用意法半导体的6kV厚氧化层电流隔离技术该器件有两路独立的单向通道，可以适用于处理双向数据的UART收发器接口。

每路通道都有施密特触发器输入，确保隔离器有较高的抗噪能力在相互电流隔离的STISO621两端，电源电压彼此独立每个电源可以在3.3V和5.5V的宽电压范围之间转换电平65kV/µs的典型共模瞬变抗扰度(CMTI)可保护低压侧，在恶劣环境中免受高开关瞬变影响。

STISO621适用于电源、电机驱动器、仪表、逆变器、电池监测器、电器、现场总线隔离器、对尺寸要求严格的多通道隔离适配器，以及整个工业自动化系统中的常规隔离等各种工业和消费类应用产品设计符合高压隔离设备测试规范VDE0884-10和UL 1577。

评估板evalSTISO62XV1有助于加快多种应用场景的设计速度意法半导体还提供了evalSTPM-3PHISO，一个专门为三相隔离电表系统用例制作的参考设计这个设计集成了用于分离高电压域的STISO621与意法半导体的高精度STPMS2计量前端IC，还提供在STM32微控制器运行的用于计算测量三相数据和电能质量数据的专用固件。

具有1200Vpeak的最大工作隔离电压(VIOWM)和高冲击耐受电压(VIOTM)，STISO621电流隔离功能不随时间变化，在任何系统故障期间，保持电流隔离功能的完整性有两款封装可选，STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装，V。

IOTM电压为4800V。STISO621W采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装，VIOTM为6000V。在-40°C到125°C的温度范围皆可保证其高性能。

版权声明：本文内容由网络用户投稿，版权归原作者所有，本站不拥有其著作权，亦不承担相应法律责任。如果您发现本站中有涉嫌抄袭或描述失实的内容，请联系我们jiasou666@gmail.com 处理，核实后本网站将在24小时内删除侵权内容。