安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案收藏

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，近日推出业界首款专用临界导通模式 (CrM) 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。

相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能然而，用 "图腾柱 "配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅。

MOSFET还是碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 等宽禁带开关。

新的 NCP1680 CrM 图腾柱 PFC 控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱 PFC方案，而不影响性能该 IC 的核心是内部补偿数字环路控制该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间 CrM 架构。

由于内置非连续导通模式 (DCM)，在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准该高度集成的器件可使电源设计在通用电源 (90 至 265 Vac) 下以高达350 W的建议功率水平工作。

在 230 Vac 电源输入下，基于 NCP1680 的 PFC 电路能够在 300 W实现近 99% 的能效在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱 PFC，从而节省空间和器件成本 进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。

NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC。

MOSFET门极驱动器一起使用 NCP51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 A 源电流和 9 A 灌电流峰值能力新器件适用于硅功率MOSFET和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。

两个独立的 5 kVRMS (UL1577 级) 电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间一个使能引脚将同时关断两个输出，且 NCP51561 提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定 (UVLO) 和使能功能。

安森美半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET，它们比硅 MOSFET 提供更高能效低导通电阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷 (Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。

 安森美半导体已发布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封装的 650 V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列 此外，安森美半导体提供完整的硅基 650 V SUPERFET®III MOSFET 产品组合。

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