HIT异质结电池是指采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到25%以上，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。　　HIT异质结电池相比于传统式晶硅技术工艺，考虑到非晶硅薄膜的构建，硅异质结太阳能电池的晶硅衬底...

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